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美光全球首发232层TLC闪存 功能翻倍 密度最高

发布时间:2022-07-31 11:33:50 所属栏目:产品 来源:互联网
导读:2021年全球首发176层堆栈的3D闪存之后,美光今天有全球首发了232层堆栈的TLC闪存,这是全然首个超过200层的闪存,也是业界密度最高的,接口速度提升到2.4GB/s,写入速度提升100%。 美光技术和产品执行副总裁 Scott DeBoer表示232层闪存是存储芯片创新的分
  2021年全球首发176层堆栈的3D闪存之后,美光今天有全球首发了232层堆栈的TLC闪存,这是全然首个超过200层的闪存,也是业界密度最高的,接口速度提升到2.4GB/s,写入速度提升100%。
 
  美光技术和产品执行副总裁 Scott DeBoer表示232层闪存是存储芯片创新的分水岭,首次证明了3D闪存有扩展到200层以上的能力。
 美光全球首发232层TLC闪存 功能翻倍 密度最高
  此外,美光的232层闪存还是首款支持NV-LPDDR4,后者是一种低压接口,相比之前的IO接口,每比特的能效提升30%以上。
 
  其他方面,美光的232层TLC闪存还是有史以来密度最高的,达到了14.6Gb/mm2,比当前的TLC闪存高出35-100%,而且232层闪存使用了11.5x13.5mm封装,尺寸比前代产品小了28%,是市面上最小面积的高密度闪存,可以减少对电路板空间的占用。
 
  目前美光的232层闪存已经在新加披工厂量产,最初会由美光旗下的英睿达品牌推出消费级SSD,后续再公告其他产品。

(编辑:PHP编程网 - 黄冈站长网)

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