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国星光电公布第三代半导体系列新产品

发布时间:2021-11-14 18:30:50 所属栏目:产品 来源:互联网
导读:4月25日消息,近期国星光电正式推出一系列第三代半导体新产品,新产品可以分为3大产品系列,包括:SiC功率器件、GaN-DFN器件、功率模块。 ●SiC功率器件 国星光电SiC功率器件小而轻便,反向恢复快、抗浪涌能力强、雪崩耐压高,拥有优越的性能与极高的工作效
4月25日消息,近期国星光电正式推出一系列第三代半导体新产品,新产品可以分为3大产品系列,包括:SiC功率器件、GaN-DFN器件、功率模块。
 
●SiC功率器件
 
国星光电SiC功率器件小而轻便,反向恢复快、抗浪涌能力强、雪崩耐压高,拥有优越的性能与极高的工作效率。目前该领域已形成了2条SiC功率器件拳头产品线:SiC-MOSFET、SiC-SBD;拥有4种封装结构(TO-247、TO-220、TO-263、TO-252);可广泛应用于大功率电源、充电桩等工业领域。
 
●GaN-DFN器件
 
国星光电的GaN-DFN器件具有更高的临界电场、出色导通电阻、更低的电容等优势,使其尤适用于功率半导体器件,降低节能和系统总成本的同时,工作频率更高,具有极高的功率密度和系统效率,可极大地提升充电器、开关电源等应用的充电效率,广泛应用于新能源汽车充电、手机快充等。

(编辑:PHP编程网 - 黄冈站长网)

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