恩智浦将GaN用于5G多芯片模块，以实施高能效移动网络
发布时间：2021-12-25 14:59:17 所属栏目：通讯 来源：互联网
导读：恩智浦半导体（ NXP Semiconductors N.V.，纳斯达克代码：NXPI）宣布，将氮化镓（GaN）技术集成至其多芯片模块平台中，这是5G能效领域的一个重要行业里程碑。恩智浦位于亚利桑那州的GaN晶圆厂是美国最先进的专业生产射频功率放大器的晶圆厂，基于公司对该晶圆
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恩智浦半导体（ NXP Semiconductors N.V.，纳斯达克代码：NXPI）宣布，将氮化镓（GaN）技术集成至其多芯片模块平台中，这是5G能效领域的一个重要行业里程碑。恩智浦位于亚利桑那州的GaN晶圆厂是美国最先进的专业生产射频功率放大器的晶圆厂，基于公司对该晶圆厂的大量投资，恩智浦率先推出5G大规模MIMO射频解决方案。该解决方案结合了GaN的高效率与多芯片模块的紧凑性。 减少能耗是电信基础设施的一个主要目标，其中每一点效率都至关重要。在多芯片模组中使用GaN可在2.6 GHz频率下将产品组合效率提高到 52%，比公司上一代模块高出8个百分点。恩智浦通过在单个器件中采用专利组合LDMOS和GaN技术，进一步提高了性能，可提供400 MHz的瞬时带宽，仅用一个功率放大器即可完成宽带射频设计。 恩智浦执行副总裁兼无线电功率业务部总经理Paul Hart 表示：“恩智浦开发了专用于5G基础设施的独特技术工具箱，包括专有的LDMOS、GaN和SiGe以及先进封装和射频设计IP。这让我们能够利用每个元件的优势并针对每个用例以最优方式将这些优势结合在一起。” 与上一代模块一样，新的器件均引脚兼容。射频工程师可以在多个频段和功率级扩展单个功率放大器设计，缩短设计周期时间，从而在全球加速推出5G。 （编辑：PHP编程网 - 黄冈站长网） 【声明】本站内容均来自网络，其相关言论仅代表作者个人观点，不代表本站立场。若无意侵犯到您的权利，请及时与联系站长删除相关内容! |
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