天玑8100独显芯片realmeGTNeo3正面首度公开超窄边框中孔屏
发布时间：2022-03-19 10:21:13 所属栏目：数码 来源：互联网
导读：据此前消息，realme GT Neo3将于3月22日正式发布，在经过多轮预热之后，官方终于公开了该机的正面造型。 根据realme中国区总裁徐起公布的实拍图，realme GT Neo3将采用居中打孔屏幕方案，且边框控制的非常出色。 值得注意的是，该机也是realme首次采用居中打
|
据此前消息，realme GT Neo3将于3月22日正式发布，在经过多轮预热之后，官方终于公开了该机的正面造型。 根据realme中国区总裁徐起公布的实拍图，realme GT Neo3将采用居中打孔屏幕方案，且边框控制的非常出色。 值得注意的是，该机也是realme首次采用居中打孔，此前多为左上角开孔。据此前消息，该机最大的亮点就是将搭载天玑8100芯片+独显芯片的双芯组合，以及全球首发150W光速秒充技术。其中，独立显示芯片能够分担性能芯片的GPU渲染工作，通过MEMC运动补偿技术，计算出游戏原始两帧画面之间的过度画面，增加过度帧，由此来提升游戏画面整体帧率。 有了独立显示芯片的运作，游戏画面能稳定在高帧率的同时，减少性能芯的功耗，一举两得。首发150W光速秒充！徐起晒realme GT Neo3充电实测：150秒充了近30% 至于150W闪充技术则采用UDCA光速秒充架构，其采用并联多路电荷泵方式增加充电电流，以更低转化损耗、更低电阻、更低温度实现150W大功率闪充。 根据徐起日前晒出的截图显示，realme GT Neo3能在150秒成功冲破电量红区，从1%充电到超过25%电量，号称能颠覆日常充电体验。 （编辑：PHP编程网 - 黄冈站长网） 【声明】本站内容均来自网络，其相关言论仅代表作者个人观点，不代表本站立场。若无意侵犯到您的权利，请及时与联系站长删除相关内容! |
站长推荐
热点阅读
浙公网安备 33038102330482号