绕开EUV光刻 国内厂商开发出DRAM内存芯片新技术
发布时间：2022-06-18 06:15:59 所属栏目：动态 来源：互联网
导读：EUV光刻机是研制先进芯片的一条路径，但并非唯一解。对于国内厂商来说，当前在3D NAND闪存的发展上，就因为不需要EUV机器，从而找到了技术追赶的机会。 而在DRAM内存芯片领域，尽管三星、美光、SK海力士找到的答案都是EUV，可来自浙江海宁的芯盟则开辟出绕
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EUV光刻机是研制先进芯片的一条路径，但并非唯一解。对于国内厂商来说，当前在3D NAND闪存的发展上，就因为不需要EUV机器，从而找到了技术追赶的机会。 而在DRAM内存芯片领域，尽管三星、美光、SK海力士找到的答案都是EUV，可来自浙江海宁的芯盟则开辟出绕过EUV光刻的新方案。 据问芯报道，在中国国际半导体技术大会CSTIC 2022中，芯盟科技CEO洪沨宣布基于HITOC技术的3D 4F² DRAM架构问世。他指出，基于HITOC技术所开发的全新架构3D 4F² DRAM芯片，最大特点是不需要用到EUV光刻机，也不需要多重图形曝光SAQP（Self-Aligned Quadruple Patterning）步骤，这可以大幅减少成本，更重要的是，避免了设备被国外制造商卡脖子。 至于此次的3D 4F² DRAM芯片，具有更低的位线电容、更低的字线延迟、CMOS独立在一片晶圆上设计不受Array工艺制程限制以及更低的成本等优势，只是还不清楚最终的芯片成品可以对标大厂的几纳米。 事实上，HITOC技术两年前就被芯盟用在了存算一体AI芯片SUNRISE上，该芯片已经应用在晶圆厂生产线智能缺陷分类系统领域。去年，HPC公司豪微科技最新流片成功的布谷鸟2芯片上，也借助芯盟的HITOC技术，实现了大容量存算一体3D架构。 资料显示，芯盟(ICLeague)是一家成立于2018年的年轻公司，总裁、CEO洪沨毕业于美国北卡罗莱纳州立大学材料科学与工程专业，曾在Intel、NXP、中芯国际、武汉新芯、积塔等工作，高管中其它核心乘员也都有着过硬的学历和半导体从业背景。 （编辑：PHP编程网 - 黄冈站长网） 【声明】本站内容均来自网络，其相关言论仅代表作者个人观点，不代表本站立场。若无意侵犯到您的权利，请及时与联系站长删除相关内容! |
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