3D NAND占据全部闪存生产的一半

发布时间：2022-03-07 11:07:11 所属栏目：要闻来源：互联网

导读：根据一份新报告，3D NAND堆叠在另一个闪存电池层上的闪存电池层上层，将成为全新的闪存的突出技术。根据Dramexchange的最新预测，NAND闪存制造商已经将其努力集中在将制造厂转换为3D NAND，这是更密集的，更快，更便宜地生产而不是传统的2D（平面）NAND。

根据一份新报告，3D NAND堆叠在另一个闪存电池层上的闪存电池层上层，将成为全新的闪存的突出技术。

根据Dramexchange的最新预测，NAND闪存制造商已经将其努力集中在将制造厂转换为3D NAND，这是更密集的，更快，更便宜地生产而不是传统的2D（平面）NAND。

今年早些时候，西部数字（WD）和合作伙伴东芝，启动了64层NAND闪存产品的生产，该行业的Densest与每次闪存单元中的三位数据进行密集。

3D NAND闪存芯片基于WD和TOSHIBA呼叫BICS（位成本缩放）的垂直堆叠或3D技术。WD推出了基于64层NAND闪存技术的前512千兆（GB）3D NAND芯片的试验生产。

然而，即使3D NAND生产的增加，由于Apple对下一个iPhone释放和SSD供应商的稳定需求的组件，预计整个NAND Flash供应预计将保持紧张的一年。

3D NAND现在构成了三星“S和Micron”的一半以上的NAND闪存位输出。SK Hynix还准备推出72层NAND芯片。报告说，希望赶上行业的领导者，SK Hynix将在今年下半年开始大规模生产72层芯片。

Dramexchange说，三星仍在竞争对手的3D NAND技术比赛中。该公司的48层芯片广泛用于企业和客户级SSD以及移动NAND产品。

用于移动设备的Micron“S 3D NAND闪存芯片示例。

三星通过其在韩国Pyeontaek的新建制造厂，已经完成了设备安装，预计将于7月初开始生产64层闪存芯片。

Micron是三星之后的第二大3D-NAND供应商，也有技术占其总NAND闪存位输出的50％以上。Micron目前，主要的内存模块制造商使用其32层芯片以及从其自身品牌的SSD的强大货物供应。

（编辑：PHP编程网 - 黄冈站长网）

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